تعتبر الترانزستورات من أهم العناصر الالكترونية الفعالة في عصرنا الحالي، حيث يتم استخدامها في أغلب الدارات الالكترونية، وهعي موجودة في كل وقت و كل مكان( الحاسب، الموبايل المحمول، أو الشواحن الالكترونية).

حيث تم اختراع الترانزستورات من قبل عدة علماء امريكيون، والتر براتين(Walter Brattain)،

  جون باردين(John Bardeen)، 

وليام شوكلي(William Shockely)، حيث تم اكتشاف الترانزستور في عام 1947.

الترانزستور عبارة عن عنصر الكتروني يتكون  من ثلاث بلورات متصلة مع بعضها البعض، حيث تكون البلورتان الجانبيتان من نفس النوع، و البلورة الثالثة تكون فاصل بينهما و من نوع آخر. NPN  --   PNP

حيث يصنع الترانزستور من مواد شبه موصلة(الجرمانيوم والسيليكون).

للترانزستور أنواع، منها: 

• ترانزستور  ثنائي القطبية BJT و يقسم إلى نوعين:  PNP و NPN
• ترانزستور ثنائي المجال FET و يقسم إالى نوعين:

1-ترانزستور تأثير المجال التقاطع JFET

2-ترانزستور تأثير المجال لأشباه الموصلات المعدنية MOSFET

كما ذكرنا سابقاً أن للترانزستور أنواع، و ذكرنا نوعين منها، سنتتكلم عن تركيب كل نوع منهما.

1. ترانزستور ثنائي القطبية BJT : يتكون من ثلاث طبقات من السيليكون شبه الموصل، طبقتين من النوع الموجب و واحدة من النوع السالب أو العكس ( NPN -- PNP ).

و له ثلاثة أرجل، وهي الباعث ويرمز له بالرمز (E)، القاعدة ويرمز لها بالرمز(B)، و المجمع ويرمز له بالرمز (C).

- ترانزستور NPN: يتركب من طبقتين من مادة سالبة بينهما طبفة رقيقة من مادة موجبة.

- ترانزستور PNP: يتركب من طبقتين من مادة موجبة بينهما طبقة من مادة سالبة.

يتم التحكم في ترانزستورات ثنائي القطبية من خلال تيار القاعدة، حيث يؤدي مرور تيار صغير في القاعدة إلى تدفق تيار كبير من المجمع إلى الباعث (من C إلى E).

تعتبر ترانزستورات BJT الأقل تكلفة من بين أنواع الترانزستورات الأخرى و تتميز بتمرير تيارات ذات كثافة عالية تفوق كثافة التيارات التي تمررها ترانزستورات  MOSFET .

2. ترانزستور تأثير المجال FET: يتكون من ثلاث طبقات أيضاً من النوع الموجب والسالب، و له ثلاثة أرجل، وهي منبع(S)، و مصرف(D)، و بوابة(G).

بالنسبة لترانزستور تأثير المجال التقاطع JFET  فهو يتكون من بلورتين فقط، بلورة من النوع الموجب وأخرى من النوع السالب،

و كذلك ترانزستور تأثير المجال لأشباه الموصلات المعدنية MOSFET له نفس مكونات ترانزستور تأثير المجال التقاطع JFET.